考题
电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
考题
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的时（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
考题
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
考题
MOSFET晶体管属于（）器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004
考题
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
艾默生开关电源的DC/AC变换器中，以下不作为功率开关管使用的是（）。A、SCRB、IGBTC、MOSFET
考题
MOSFET功率管的热稳定性好，但是抗干扰能力差。
考题
开关电源中采用的MOSFET功率管，功耗较大。（）
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
考题
使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
下列关于功率计使用的说法错误的是（）。A、功率计在使用前必须校准和归零B、功率计使用时要注意所配探头的最大承受功C、功率计测试射频功率时要加检波器D、功率计使用时电源地线必须可靠接地
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A
对B
错
考题
判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A
对B
错
考题
问答题功率场效应管（MOSFET）的特点有哪些？
考题
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A
对B
错
考题
问答题GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
