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判断题
PN结内部的电场方向总是指向P区。
A

对

B

错

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考题 PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 弯曲液面的附加压力△p的方向（）。A.总是指向液体内部 B.总是指向气体内部 C.总是指向弯曲液面曲率半径的中心 D.是随意指向的
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考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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考题 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。
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考题 PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
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考题 PN结正向导通是地，其内外电场方向一致。
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考题 PN结正向导通时,其内外电场方向一致。
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考题 由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
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考题 PN结内电场方向为P→N。
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考题 当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
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考题 弯曲液面的附加压力△p的方向（）。A、总是指向液体内部B、总是指向气体内部C、总是指向弯曲液面曲率半径的中心D、是随意指向的
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 PN结正偏是指P区电位（）N区电位。
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考题 使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 PN结具有单向导电性，其导电方向是从N区到P区。
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考题 为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
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考题 PN结正向导电时，外电场和内电场的方向（）A、相同B、相反C、外电场加强了内电场
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考题 填空题在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建电场的方向是从（）区指向（）区。
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考题 判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A 对B 错
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考题 填空题在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。
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考题 单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。A P区；B N区；C 结区；D 中间区。
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考题 填空题PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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考题 判断题PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。A 对B 错
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考题 单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流
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考题 单选题弯曲液面的附加压力△p的方向（）。A 总是指向液体内部B 总是指向气体内部C 总是指向弯曲液面曲率半径的中心D 是随意指向的
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