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PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。


参考答案

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考题 PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变

考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 PN结加正向电压,则()A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散

考题 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时,即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时,它呈___状态,当外加电压与内电场的方向相同时,它将呈___状态,即___具有单向导电性。A、PN结;导通,截止;PN结B、晶体管;截止,导通;PN结C、晶体管;导通,截止;晶体管D、PN结;截止,导通;晶体管E、晶体管;截止,导通;晶体管

考题 关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A、空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

考题 PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?

考题 PN结正向导通是地,其内外电场方向一致。

考题 PN结正向导通时,其内外电场方向一致。

考题 由于PN结内存在着内电场,因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是()。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V

考题 PN结内电场方向为P→N。

考题 空间电荷区,内建电场及方向;漂移电流和扩散电流及其方向。

考题 PN结正向偏置时,空间电荷区将变()。

考题 和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

考题 使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

考题 PN结加正向电压时,空间电荷区将()。A、变窄B、基本不变C、变宽

考题 PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。

考题 为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

考题 PN结正向导电时,外电场和内电场的方向()A、相同B、相反C、外电场加强了内电场

考题 填空题在PN结的空间电荷区中,P区一侧带()电荷,N区一侧带()电荷。内建电场的方向是从()区指向()区。

考题 单选题关于PN结的单向导电原理中,以下哪个描述正确()A 空间电荷区有利于扩散运动,不利于漂移运动B 空间电荷区有利于漂移运动,不利于扩散运动C 当PN结两侧加正向电压时,空间电荷区变厚D 当PN结两侧加反向电压时,空间电荷区变薄

考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 判断题PN结内部的电场方向总是指向P区。A 对B 错

考题 问答题PN结加反向电压时,空间电荷区将变宽还是变窄?

考题 填空题PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。

考题 填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

考题 判断题PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。A 对B 错

考题 单选题PN结加正向电压,则()A 内电场增强B PN结电阻呈现无穷大C PN结变厚D 有利于多子的扩散