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填空题
在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。
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考题
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
考题
为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
考题
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；B
p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C
平衡载流子破坏原来的热平衡；D
非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
考题
单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。A
P区；B
N区；C
结区；D
中间区。
考题
单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负A
P区B
N区C
中间区D
结区
考题
填空题PN结光伏探测器的两种工作模式是（）和（）。
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