考题
列举两种常用于促进扦插生根的技术（ ）和（ ）。
考题
列举两种常用于土壤或营养土消毒的化学药剂（ ）、（ ）、（ ）。
考题
简述快速成型制造生成原理 ，并列举至少4种常用快速成型制造方法。
考题
列举几种非织造常用纤维和特种纤维，根据他们的性能讨论其在非制造中的用途。
考题
试列举制造企业应用工业工程提高生产率的若干常用方法。
考题
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
考题
判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A
对B
错
考题
填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
考题
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A
对B
错
考题
填空题列举两种常用于促进扦插生根的技术（）和（）。
考题
问答题工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？
考题
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
考题
问答题列举几种非织造常用纤维和特种纤维，根据他们的性能讨论其在非制造中的用途。
考题
判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A
对B
错
考题
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A
对B
错
考题
问答题一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？
考题
问答题简述快速成型制造生成原理 ，并列举至少4种常用快速成型制造方法。
考题
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
考题
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
