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问答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

考题 一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10

考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

考题 一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

考题 互感器的合成误差除与互感器的比差、角差有关外,还与()有关。A、工作电压B、负载电流C、负载功率因数

考题 MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。

考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

考题 在MOS门电路中,欲使NMOS管导通可靠,栅极所加电压应小于开启电压UTN。()

考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

考题 MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A、栅极(G)B、漏极D.C、C.基极D、源极(S)

考题 场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 源极及衬底接地时,MOS管栅极()。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确

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考题 填空题起升载荷大小除与起升质量有关外,还与()、()、()、()及操作情况()等有关。

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考题 单选题微波用于消毒时,消毒效果除与暴露时间有关外,还与微波炉的哪项指标有关?(  )A 输入功率B 输出功率C 电阻D 电压E 微波炉的材质

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