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问答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外,还与哪些因素有关?
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考题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
考题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量
考题
单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A
是电压驱动型器件B
也称为绝缘栅极双极型晶体管C
属于全控型器件D
三个极为漏极、栅极和源极
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