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MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。


参考答案

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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压

考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极

考题 GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。

考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极;B.漏极;C.栅极;

考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()。A、漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量B、漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量C、基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量D、漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量

考题 一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。

考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制.A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

考题 MOS管的栅极可与双极型三极管的()相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极

考题 MOS管的栅极与双极型三极管的相对应()A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极

考题 MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极

考题 场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

考题 MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A、栅极(G)B、漏极D.C、C.基极D、源极(S)

考题 场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。A、原极;B、漏极;C、栅极;

考题 场效应管是通过()改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压

考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从()A、栅极输入,漏极输出B、源极输入,漏极输出C、栅极输入,源极输出D、漏极输入,源极输出

考题 场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。

考题 IGBT是全控型晶体管的一种,它的三端器件是()A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极

考题 绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由()来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压

考题 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。

考题 功率场效应管的三个引脚符号为()A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G

考题 多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。()A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压

考题 单选题MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A 栅极(G)B 漏极D.C C.基极D 源极(S)