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11、场效应管的抗干扰能力比三极管差。

参考答案和解析
大;高强
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考题 半导体三极管与场效应管的一重要区别是:三极管为()控制元件,场效应管为()控制元件。
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考题 正交调幅星座图上的点数越多，则()A.频带利用率越低，抗干扰能力越差B.频带利用率越低，抗干扰能力越强C.频带利用率越高，抗干扰能力越差D.频带利用率越高，抗干扰能力越强
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考题 微机控制的并行信号传输比串行信号传输速度快，但抗干扰能力差。此题为判断题(对，错)。
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考题 与逐次渐近ADC比较，双积分ADC有下列哪种特点？(A)转换速度快，抗干扰能力强 (B)转换速度慢，抗干扰能力强 (C)转换速度高，抗干扰能力差 （D)转换速度低.抗干扰能力差
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考题 与逐次渐近A/D比较，双积分A/D有下列哪种特点？（　　） A． 转换速度快，抗干扰能力强 B． 转换速度慢，抗干扰能力强 C． 转换速度高，抗干扰能力差 D． 转换速度低，抗干扰能力差
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考题 场效应管噪声系数比三极管（）。A、大B、小C、相等
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考题 正交调幅星座图上的点数越多，则（）。A、频带利用率越低，抗干扰能力越差B、频带利用率越低，抗干扰能力越强C、频带利用率越高，抗干扰能力越差D、频带利用率越高，抗干扰能力越强
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考题 KU波段的抗干扰能力比C波段的抗干扰能力强。
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考题 三极管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制，场效应管为电流控制D、三极管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 比较型数字电压表和积分型相比，正确的是（）。A、比较型抗干扰能力强，测量速度慢B、比较型抗干扰能力差，测量速度快C、积分型抗干扰能力差，测量速度慢D、比较型抗干扰能力强，测量速度快
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考题 CAN总线的抗干扰能力比LIN总线要强。
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考题 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
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考题 为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
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考题 场效应管与三极管相似，但两者的控制特性却截然不同，三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（）
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考题 一般情况下，场效应管的噪声比晶体三极管高。
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考题 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）
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考题 MOS场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（）。
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考题 场效应管的热稳定性比BJT要差。
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考题 场效应管的抗干扰能力强于晶体三极管。
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考题 场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
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考题 场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻（），所以输入电流近似为（）。
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考题 反相器中，钳位电路和负电源的使用提高了它的正向抗干扰能力，而加大晶体三极管的（）和有助于负向抗干扰能力的提高。
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考题 为了提高变频器的抗干扰能力，一般选用（）作为变频器件。A、晶体管B、二极管C、场效应管D、集成管
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考题 填空题场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
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考题 单选题与逐次逼近ADC比较，双积分ADC有下列哪种特点？（　　）[2005年真题]A 转换速度快，抗干扰能力强B 转换速度慢，抗干扰能力强C 转换速度高，抗干扰能力差D 转换速度低，抗干扰能力差
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考题 单选题基本比较器与滞回比较器相比（）A 前者灵敏度高，后者抗干扰能力强B 前者灵敏度差，后者抗干扰能力强C 前者灵敏度高，后者抗干扰能力差D 前者灵敏度差，后来抗干扰能力差
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考题 单选题正交调幅星座图上的点数越多，则（）A 频带利用率越低，抗干扰能力越差B 频带利用率越低，抗干扰能力越强C 频带利用率越高，抗干扰能力越差D 频带利用率越高，抗干扰能力越强
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考题 填空题反相器中，钳位电路和负电源的使用提高了它的正向抗干扰能力，而加大晶体三极管的（）和有助于负向抗干扰能力的提高。
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