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场效应管的抗干扰能力强于晶体三极管。


参考答案

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考题 简单电压比较器与滞回电压比较器相比? A、前者的抗干扰能力强B、后者的抗干扰能力强C、二者的抗干扰能力均不强D、二者的抗干扰能力都很强

考题 为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。() 此题为判断题(对,错)。

考题 ASWG与NGFW“下一代防火墙”相比,下列描述正确的是()?A、网络处理能力:ASWG弱于NGFWB、Web安全检测能力:ASWG弱于NGFWC、WebDLP内容识别能力:ASWG强于NGFWD、Web缓存能力:ASWG强于NGFWE、URL安全检测、类别覆盖能力:ASWG强于NGFWF、用户认证的灵活性:ASWG强于NGFWG、应用识别控制能力:ASWG弱于NGFW

考题 从控制作用来看,晶体三极管是个()控制元件;场效应管是()控制元件。

考题 正交调幅星座图上的点数越多,则()。A、频带利用率越低,抗干扰能力越差B、频带利用率越低,抗干扰能力越强C、频带利用率越高,抗干扰能力越差D、频带利用率越高,抗干扰能力越强

考题 KU波段的抗干扰能力比C波段的抗干扰能力强。

考题 场效应管是在()之后发展起来的一种较特殊的半导体器件。A、晶体二极管B、晶闸管C、晶体三极管D、达林顿管

考题 下列属于线性电阻元件的是()。A、晶体三极管B、晶体二极管C、电阻器D、场效应管

考题 场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。

考题 为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。

考题 一般情况下,场效应管的噪声比晶体三极管高。

考题 场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要()

考题 由于晶体三极管(),所以将它称为双极型的,由于场效应管(),所以将其称为单极型的。

考题 场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻()。源极输出电路的重要特点是(),()和()。

考题 场效应管属于()控制型器件,而晶体三极管则认为是()控制型器件。

考题 晶体三极管是()控制型器件,是()型器件。场效应管是()控制型器件,是()型器件

考题 晶体三极管是()控制器件,用于放大时,工作在()区;场效应管是()控制器件,用于放大时,工作在()区

考题 反相器中,钳位电路和负电源的使用提高了它的正向抗干扰能力,而加大晶体三极管的()和有助于负向抗干扰能力的提高。

考题 晶体三极管和场效应管分别是()。A、电压控制器件,电流控制器件B、电流控制器件,电压控制器件C、均为电压控制器件

考题 为了提高变频器的抗干扰能力,一般选用()作为变频器件。A、晶体管B、二极管C、场效应管D、集成管

考题 用于工频整流的()称为整流管。A、点接触二极管B、功率二极管C、晶体三极管D、场效应管

考题 填空题场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。

考题 填空题从控制作用来看,晶体三极管是个()控制元件;场效应管是()控制元件。

考题 单选题正交调幅星座图上的点数越多,则()A 频带利用率越低,抗干扰能力越差B 频带利用率越低,抗干扰能力越强C 频带利用率越高,抗干扰能力越差D 频带利用率越高,抗干扰能力越强

考题 填空题反相器中,钳位电路和负电源的使用提高了它的正向抗干扰能力,而加大晶体三极管的()和有助于负向抗干扰能力的提高。

考题 判断题为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。A 对B 错

考题 填空题晶体三极管是()控制器件,用于放大时,工作在()区;场效应管是()控制器件,用于放大时,工作在()区