考题
3AX31三极管属于()型三极管。
A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料
考题
3DG6三极管的制作材料、类型是()。
A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
考题
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是()
A、饱和B、正常放大C、截止
考题
NPN型和PNP型晶体管的区别是()。
A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
3AX81三极管的制作材料、类型分别是（）A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为（）管。A、硅B、锗C、稳压D、整流
考题
一只三极管型号为3DG130C，它表示（）。A、PNP型硅材料高频小功率三极管B、NPN型硅材料高频小功率三极管C、PNP型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料低频小功率三极管
考题
E型热电偶是由（）。A、镍铬-镍硅两种材料制成的，其中负极是镍硅B、镍铬-镍铜两种材料制成的，其中负极是镍铜C、镍铬-镍铝两种材料制成的，其中负极是镍铝D、铜-铜镍两种材料制成的，其中负极是铜镍[T/]
考题
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。A、三极管B、NPN硅材料C、高频小功率管D、序号
考题
3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
考题
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
考题
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
判断题PNP晶体管是由锗材料制成。A
对B
错
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
