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NPN型和PNP型晶体管的区别是()

  • A、由两种不同材料硅和锗制成的
  • B、渗入的杂质元素不同
  • C、P区和N区的位置不同

参考答案

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考题 NPN型和PNP型三极管的主要区别是()。A、由两种不同材料构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同

考题 NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同

考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、- 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管

考题 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管

考题 在放大电路中,若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V,1.2V,1V,则该管为:()。A.NPN型硅管 B.PNP型硅管 C.NPN型锗管 D.PNP型锗管

考题 3AX81三极管的制作材料、类型分别是()A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型

考题 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,由此可判断该晶体管的管型和管脚依次为()A、PNP管,CBEB、NPN管,ECBC、NPN管,CBED、PNP管,EBC

考题 晶体三极管根据内部结构不同分为()。A、PNP型和NPN型B、PNN型和NPP型C、NPP型和PNP型D、NPN型和NPP型

考题 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V,则该三极管的类型为()。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型

考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。A、电量B、电流C、电压D、功率

考题 如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型?

考题 NPN型和PNP型三极管的区别是()。A、由两种不同的材料硅和锗构成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、放大倍数不同

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区,即发射区、基区和()。

考题 NPN型与PNP型传感器的主要区别是:PNP输出端为()电平,NPN输出端为()电平。

考题 那种PLC的输出形式,输出可以不考虑电源极性()。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出

考题 PNP型或NPN型晶体管,其发射区和集电区均为同类型半导体(N型或P型)。所以在实际使用中发射极与集电极()。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用,NPN型则不可以调换使用

考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管

考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V,则该管为()A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v,VE=-7v,VC=-4v,可以判定此晶体管是()管,处于()。A、NPN管,饱和区B、PNP管,放大区C、PNP管,截止区D、NPN管,放大区

考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管不是()A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管

考题 若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管

考题 晶体管符号上的箭头朝外,则表示为()。A、NPN型晶体管;B、PNP型晶体管;C、硅管;D、锗管。

考题 晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。

考题 填空题NPN型与PNP型传感器的主要区别是:PNP输出端为()电平,NPN输出端为()电平。

考题 单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V,则该三极管的类型为()。A 硅PNP型B 硅NPN型C 锗PNP型D 锗NPN型