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目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为（）管。

  • A、硅
  • B、锗
  • C、稳压
  • D、整流

参考答案

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考题 只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
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考题 用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和管脚依次为（）A、PNP管，CBEB、NPN管，ECBC、NPN管，CBED、PNP管，EBC
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考题 单结晶体管是由（）组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
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考题 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
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考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
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考题 乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是（）。
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考题 根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 光敏晶体管只有NPN型一种。
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考题 那种PLC的输出形式，输出可以不考虑电源极性（）。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出
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考题 晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
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考题 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
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考题 固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
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考题 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
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考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。A、NPN管，饱和区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管，放大区
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考题 NPN晶体管是由硅材料制成。
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考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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考题 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
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考题 晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
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考题 晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。
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考题 关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
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考题 问答题简述减小NPN晶体管中的集电极串联电阻rCS的方法
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考题 判断题光敏晶体管只有NPN型一种。A 对B 错
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考题 问答题集成NPN晶体管中的寄生电容有哪几种？
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考题 判断题NPN晶体管是由硅材料制成。A 对B 错
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考题 问答题简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？
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