考题
只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。()
此题为判断题(对，错)。
考题
NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
考题
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。()
此题为判断题(对，错)。
考题
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（ ）。
考题
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
考题
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
考题
NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。A、UC＞UE＞UBB、UC＞UB＞UEC、UC＜UB＜UED、UC＜UE＜UB
考题
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
考题
当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
考题
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
那种PLC的输出形式，输出可以不考虑电源极性（）。A、继电器输出B、NPN型晶体管输出C、PNP型晶体管输出D、晶闸管输出
考题
在入射光照度一定时，光敏晶体管的相对灵敏度随光波波长的变化而变化，一种光敏晶体管只对一定波长范围的人射光敏感，这就是光敏晶体管的（）特性.A、光电B、温度C、光谱D、频率
考题
固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
考题
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
考题
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
考题
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
考题
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
考题
判断题光敏晶体管只有NPN型一种。A
对B
错
考题
单选题NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。A
VC＞VE＞VBB
VC＞VB＞VEC
VC＞VB＞VED
VB＞VE＞VC
考题
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A
硅PNP型B
硅NPN型C
锗PNP型D
锗NPN型
考题
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A
对B
错
