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单选题
关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。
A

根据被照体厚薄预先确定曝光量

B

有电离室式探测器

C

AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关

D

有半导体式探测器

E

探测器的采光野位置应根据摄影部位选择

参考答案

参考解析
解析： 分荧光体探测器和电离室控测器。
更多 “单选题关于自动曝光控制（AEC）的解释，错误的是（）。A 根据被照体厚薄预先确定曝光量B 有电离室式探测器C AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D 有半导体式探测器E 探测器的采光野位置应根据摄影部位选择” 相关考题
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考题 不符合胸部正位成像技术条件标准的是A、管电压取70～80kVpB、滤线栅取10∶1以上的栅比C、选用大宽容度屏/片组合，相对感度400D、3.0mm铝E、采用自动曝光控制(AEC)
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考题 关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述,错误的是 A、选用150kV管电压的X线机B、选用低栅比滤线器C、选用密纹滤线栅D、可用空气间隙效应代替滤线栅E、采用自动曝光控制(AEC)
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考题 关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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考题 关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述，错误的是A.选用150kV管电压的X线机 B.选用低栅比滤线器 C.选用密纹滤线栅 D.可用空气间隙效应代替滤线栅 E.采用自动曝光控制(AEC)
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考题 关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B、探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C、AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D、探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E、探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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考题 在渲染动画效果时，应该使用的[曝光控制]是（）。A、自动曝光控制B、正确数曝光控制C、现行曝光控制D、为彩色曝光控制
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考题 下列关于［对数曝光控制（LogarithmicExposureControl）］说法错误的是（）。A、［对数曝光控制（LogarithmicExposureControl）］相比［线性曝光控制（LinearExposureControl）］的效果会更加柔和B、［对数曝光控制（LogarithmicExposureControl）］相比［线性曝光控制（LinearExposureControl）］会更不容易产生曝光的效果C、［对数曝光控制（LogarithmicExposureControl）］相比［线性曝光控制（LinearExposureControl）］对比会更强烈D、［对数曝光控制（LogarithmicExposureControl）］相比［线性曝光控制（LinearExposureControl）］更适合制作动画
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考题 单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）。A 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B 半导体、荧光体3种C AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D 探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E 形状、数量应根据摄影部位选择
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考题 单选题关于自动曝光量控制（AEC）的叙述，错误的是（）A 被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B 探测器有电离室式、半导体、荧光体3种C AEC的管电压特性与所用屏-片体系的管电压特性有关D 探测器置于屏-片体系之前还是之后，效果不一样E 探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
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考题 单选题不属于医学物理师特殊检测项目的是（）A 伪影评价B 屏/片密着程度的检测C 自动曝光控制（AEC）系统性能评估D 线束质量评估E 平均腺体剂量
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考题 单选题不符合胸部正位成像技术条件标准的是（）。A 管电压取70～80kVpB 滤线栅取10∶1以上的栅比C 选用大宽容度屏/片组合，相对感度400D 3.0mm铝E 采用自动曝光控制（AEC）
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考题 单选题关于DSA摄影条件的描述，错误的是（　　）。A X线剂量与密度分辨力成正比B DSA的曝光参数分为“自动曝光”和“手动曝光”C 对密度高且厚的部位常选用“自动曝光”方式D 选用测试曝光可以帮助选择最合适的曝光条件E 对密度低且薄的部位常选用“自动曝光”方式
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考题 单选题预曝光方式AEC的工作环节，错误的是（）A 根据压迫厚度设定条件B 进行一次15毫秒的预曝光C 探测乳腺的组织密度D 据此设定所需的mAs值E 正式曝光并自动终止
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