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关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是
A、被照体很薄时，AEC也可立即切断X线
B、半导体、荧光体3种
C、AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关
D、探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样
E、形状、数量应根据摄影部位选择
参考答案
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考题
关于自动曝光控制(AEC)的解释，错误的是A、根据被照体厚薄预先确定曝光量B、有电离室式探测器C、AEC的管电压特性与所用屏/片体系的管电压特性有关D、有半导体式探测器E、探测器的采光野位置应根据摄影部位选择
考题
关于电离室控时自动曝光控制,下列叙述错误的是
A.利用气体的电离效应B.X线强度大时，电离电流大C.X线强度大时，曝光时间长D.电容充电电流与X线曝光量呈反比E.电离电流小时，曝光时间长
考题
有关中心线、照射野的叙述，错误的是A、X线束入射于被照体的曝光面的大小称照射野B、摄影时照射野应缩小到能容下被检部位的标度C、照射野的大小大多用遮线器控制D、来自中心部分的X线为中心线E、中心线必须垂直于被照体中心
考题
关于自动曝光量控制(AEC)的叙述，错误的是A．被照体很薄时，AEC也可立即切断X线B．探测器有电离室式、半导体、荧光体三种C．AEC的管电压特性与所用屏胶体系的管电压特性有关D．探测器置于屏胶体系之前还是之后，效果不一样E．探测器的探测野位置、形状、数量应根据摄影部位选择
考题
关于高千伏摄影选用设备及条件的叙述，错误的是A.选用150kV管电压的X线机
B.选用低栅比滤线器
C.选用密纹滤线栅
D.可用空气间隙效应代替滤线栅
E.采用自动曝光控制(AEC)
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