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感应电机进行速度控制时，所用的半导体开关器件有GTO或

A．VVVF

B．PWM

C．IGBT

D．VVF

参考答案和解析
IGBT
更多 “感应电机进行速度控制时，所用的半导体开关器件有GTO或A．VVVFB．PWMC．IGBTD．VVF” 相关考题
考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。 A.GTOB.GTRC.MOSFET
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考题 高频开关电源中,常的电力电子器件为()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO
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考题 辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是()。 A.IGBT;B.AGATE;C.SIV;D.GTO;
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考题 电子器件所用的半导体具有晶体结构因此把半导体也称为晶体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 GTO是电压驱动型器件。()
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考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
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考题 下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。A、功率半导体器件处于开关状态B、导通管压降低C、漏电流很大D、管子导通时，相当于短路
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考题 SITH的工作频率可达______以上,开关速度比GTO______。根据结构不同,SITH分为______(或常开型)和______或常关型)器件。此外,根据能否承受反压的特点,SITH又分为______和______两种。
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考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO
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考题 电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，( )或( )初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。
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考题 逆变器的主要部件是大功率半导体开关元件，主要有GTO、IGBT和IPM。
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考题 牵引电机采用三相鼠笼式感应电机，其轴端设置有速度传感器、用于牵引变流器测速以及制动控制装置检测速度。
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考题 整流所用的半导体器件特性是（）。
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考题 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
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考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有（）。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT（GTO）
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考题 转速感应是通过位于水轮机/发电机轴上的感应开关和齿盘实现。转速测量是通过一个带微调控制的速度传感器，控制器计算方形波信号的时间周期频率。
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考题 辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是（）。A、IGBT；B、AGATE；C、SIV；D、GTO；
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考题 微波武器的电效应是指高功率微波在射向目标时会在目标结构的金属表面或金属导线上感应出电流或电压，这种感应电压或电流会对目标上的电子元器件产生多种效应，如造成电路中器件的状态反转、器件性能下降、半导体结击穿等。
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考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。
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考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？
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考题 现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。A、MOSFETB、IGBTC、晶闸管D、GTR
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考题 高频开关电源中，常的电力电子器件为（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、GTO
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考题 GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
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考题 效应管控制晶闸管MCT是由（）和GTO管复合而成的一种电力电子器件.
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考题 问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？
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考题 多选题现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。AMOSFETBIGBTC晶闸管DGTR
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考题 问答题GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
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