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问答题
GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

考题 GTO的主要参数有( )。 A、最大可关断阳极电流B、电流关断增益C、导通时间D、关断时间

考题 GTO是电压驱动型器件。()

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 GTO门极控制电路有()A、开通电流B、关断电路C、反偏电路D、去耦电路

考题 什么是GTO的电流关断增益?

考题 GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。

考题 SCR可以通过门极既控制其导通又控制其关断。

考题 为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 门极关断晶闸管GTO工作频率不高,关断控制容易失败。

考题 为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似,但却可以通过施加门极负电流使其关断?

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。A、不可控型B、半控型C、全控型D、以上答案全错

考题 GTO与可控硅的主要区别是()A、GTO没有控制极B、可控硅电流大C、可控硅在没导通前,控制极不起作用D、GTO为可关断的可控硅

考题 判断题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件。A 对B 错

考题 问答题为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似,但却可以通过施加门极负电流使其关断?

考题 多选题GTO的主要参数有()。A最大可关断阳极电流B电流关断增益C导通时间D关断时间

考题 判断题SCR可以通过门极既控制其导通又控制其关断。A 对B 错

考题 问答题为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

考题 判断题GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。A 对B 错

考题 判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高,关断控制容易失败。A 对B 错

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 问答题GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同?