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现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有()。

  • A、MOSFET
  • B、IGBT
  • C、晶闸管
  • D、GTR

参考答案

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考题 高频开关电源中,常的电力电子器件为()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO

考题 电力电子电路一般都由功率半导体器件组成。()

考题 ()是功率半导体器件的特点。A、大电流B、小电流C、大功率D、小功率

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。A、功率半导体器件处于开关状态B、导通管压降低C、漏电流很大D、管子导通时,相当于短路

考题 下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。 A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO

考题 高频开关电源同()的配合使用,可保证直流通信设备的不间断供电。

考题 简述《铁路通信维护规则》中高频开关电源年度维修项目。

考题 晶闸管又叫(),它是一种大功率半导体器件。

考题 通信高频开关电源整流模块应按什么原则配置?

考题 开关电源的原理中,零电压开关转换是为().A、降低功率器件开关时的功率损耗;B、降低功率器件的电压;C、降低功率器件的负载;D、降低功率器件的电流.

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有()以及两者混合管,功率集成器件等。

考题 逆变器的功率半导体器件采用IGBT。

考题 根据通信用高频开关电源标准规定,高频开关电源的工作温度范围是:()A、5℃—40℃B、-5℃—35℃C、0℃—40℃D、0℃—35℃

考题 高频开关电源中,常用的电力电子器件为()A、二极管B、MOSFET、IGBTC、电感D、电容

考题 晶闸管是一种()器件,它具有体积小、重量轻、耐压高、效率高、容量大、使用简单和控制灵活等优点。A、大功率半导体B、小功率半导体C、大功率电阻D、小功率电阻

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

考题 高频开关电源中,常的电力电子器件为()。A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、GTO

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 常见功率半导体器件有:电力二极管、电力三极管、晶闸管、()、()。

考题 判断题逆变器的功率半导体器件采用IGBT。A 对B 错

考题 填空题目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有()以及两者混合管,功率集成器件等。

考题 多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是()。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT

考题 判断题功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。A 对B 错

考题 多选题现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有()。AMOSFETBIGBTC晶闸管DGTR