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本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。

参考答案和解析
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更多 “本征半导体的导电性能主要受掺杂浓度的影响。” 相关考题
考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。
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考题 纯净的半导体是室温下几乎是不导电的,又称本征半导体。但如果给本征半导体掺入微量杂质、加热提高温度或在光照等物理作用下,半导体的导电能力将大大增强,从而变成导体,这就是半导体的导电特性。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。( ) 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列物质中载流子最多的是()。A.本征半导体B.掺杂半导体C.导体D.绝缘体
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考题 在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。 A、温度B、杂质浓度C、原本征半导体的纯度
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考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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考题 本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.A、金属B、小电阻C、绝缘体D、掺杂半导体
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考题 本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好
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考题 杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。
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考题 半导体材料受热或受光照后其导电性能会（）。
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考题 为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？
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考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A、非本征B、本征
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考题 试分析、阐述导体、半导体（本征、掺杂）和绝缘体的能带结构特点。
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考题 一般情况下，本征半导体导电是依靠本征激发作用的。
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考题 影响半导体导电性能的主要因素是（）。 A、压力B、随温度的上升，半导体的电阻率增大C、光照可以使导电能力减弱D、杂质
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考题 本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
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考题 在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 哪一个不是本征半导体具有的特性？（）A、光敏性B、热敏性C、掺杂特性D、导电性
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考题 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
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考题 实际使用的半导体都是在本征法导体中掺入一定的杂质，其目的是改善半导体的导电性能。
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考题 本征半导体掺入某些杂质后，导电性能（）。A、提高B、减小C、不变
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考题 下列物质中载流子最多的是（）。A、本征半导体B、掺杂半导体C、导体D、绝缘体
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。
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考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。A 非本征B 本征
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考题 问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
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