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进行电容型试品末屏介损测量时,期试验电压一般不应超过(2)kV。


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考题 计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)

考题 测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。

考题 在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?

考题 试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关

考题 若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%,绝缘电阻为10000MΩ,末屏对地的绝缘电阻为120MΩ,末屏介损为2.5%,该设备()A、可以继续运行,主绝缘良好,且介损值在规程规定值以内B、可以继续运行,缩短试验周期C、可以继续运行,运行中末屏接地,末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考D、不可以继续运行,测量值超出规程规定值

考题 在进行较大电容量被试品的变频耐压试验时,应直接在被试品端部进行()测量。A、电压B、电流C、频率D、波形

考题 当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

考题 变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时,测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值,并将测试温度下的介损值换算到()℃。A、10B、15C、20D、25

考题 电流互感器出厂验收标准卡中,电流互感器出厂试验及验收的电容量和介质损耗因数tanδ测量验收标准为()。A、对于油浸式电流互感器,参照GB20840.2-2014中表209的要求,分电容型和非电容型进行考核B、对于35kV以上电压等级的合成薄膜式的电流互感器,10kV~Um√3电压下介质损耗因数tanδ小于等于0.25%C、对于Um≥252kV的油浸式电流互感器,在0.5Um/√3~Um/√3的测量电压下,介质损耗因数(tanδ)测量值的增值不应大于0.001D、对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tanδ)允许值不应大于0.02

考题 电流互感器出厂试验,对于正立式电容型绝缘结构油浸式电流互感器的地屏(末屏),在测量电压为3kV下的介质损耗因数(tanδ)允许值不应大于()。A、0.01B、0.02C、0.03D、0.04

考题 用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压

考题 可以不拆除高压引线进行介损试验的电容式电压互感器包括()。A、35kV电容式电压互感器B、220kV电容式电压互感器C、330kV电容式电压互感器D、500kV电容式电压互感器

考题 用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

考题 测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)

考题 测量CVT分接电容C2的介损和电容量时,C2的“δ”点接介损电桥的高压端,主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端,用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限,为保护“δ”,试验电压不超过()。A、10000VB、5000VC、2500VD、1000V

考题 若试品的电容量为10000pF,测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA。A、0.05B、0.5C、1.0D、1.5E、2.0

考题 已知被试品的电容量为CX(μF),耐压试验电压为Uexp(kV),如做工频耐压试验,所需试验变压器的容量是S≥ωCXUexpUN×10-3,其中()。A、UN为试验变压器高压侧额定电压(kV)B、CX为被试品电容(μF)C、Uexp为试验电压(kV)D、ω=2πf

考题 小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。

考题 用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。

考题 用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

考题 当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时,应测量末屏对地的介损,加压()。

考题 测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时,有末屏的应尽量使用()进行测量。A、正接线B、反接线C、自激法D、末屏加压法

考题 关于电流互感器电容量和介质损耗因数的表述正确的是()。A、电容量初值差不应超过±3%B、末屏介质损耗因数要求小于0.015C、测量值异常,可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线D、220kV电流互感器介损值应小于0.006

考题 单选题若试品的电容量为10000pF,加10kV电压测量介损,试验变压器的容量选择应不小于()A 2.0kVAB 0.5kVAC 1.0kVAD 0.1kVA

考题 单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A 试品电容量越大,影响越大B 试品电容量越小,影响越小C 试品电容量越小,影响越大D 与试品电容量的大小无关

考题 单选题若测量一台110kV油浸式电流互感器主绝缘介损为0.75%,绝缘电阻为10000MΩ,末屏对地的绝缘电阻为120MΩ,末屏介损为2.5%,该设备()A 可以继续运行,主绝缘良好,且介损值在规程规定值以内B 可以继续运行,缩短试验周期C 可以继续运行,运行中末屏接地,末屏对地的绝缘电阻测量结果仅做参考D 不可以继续运行,测量值超出规程规定值