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入射光强改变物质导电率的物理现象叫做()。


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考题 透射免疫浊度法的吸光度A指的是A、透射光强度B、入射光强度C、入射光与透射光的比率D、入射光与透射光的差值E、透射光强度减去入射光强度

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考题 在分光光度分析中,入射光强度与透射光强度之比成为吸光度,吸光度的倒数的对数为透光率。

考题 入射光强与透过光强之比为10,则底片黑度为(),若透射光强与入射光强之比为1:1000,则底片黑度为()。

考题 底片黑度公式D=LgLo/L,其中()。A、lo是入射线强度,L是透射射线强度B、lo是入射光强度,L是透射光强度C、lo是透射射线强度,L是入射线强度D、lo是透射光强度,L是入射光强度

考题 光波垂直入射到折射率为n=1.33的深水表面的反射光和入射光强度之比()。

考题 光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和最小光强分别是()。

考题 入射光强改变物质导电率的物理现象叫光生伏特效应

考题 把溶解于水后或在溶融状态下能导电的物质叫做()。不能导电的物质叫()。

考题 入射光强改变物质导电率的物理现象叫做(),其包括()和()。

考题 入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。

考题 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为(),入射光强改变物质导电率的物理现象称为()。

考题 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。

考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称()。

考题 电阻率的大小反映了物质的导电能力,电阻率小说明物质导电能力强电阻率大说明物质导电能力弱。

考题 在紫外可见分光光度法测定中,使用参比溶液的作用是()A、 调节仪器透光率的零点B、 吸收入射光中测定所需要的光波C、 调节入射光的光强度D、 消除试剂等非测定物质对入射光吸收的影响

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