考题
线偏振光入射到折射率为1.732的玻璃片上,入射角是60°,入射光的电失量与入射面30°角。求由分界面上反射的光强占入射光强的百分比。
考题
透射免疫浊度法的吸光度A指的是A、透射光强度B、入射光强度C、入射光与透射光的比率D、入射光与透射光的差值E、透射光强度减去入射光强度
考题
透射免疫浊度法的吸光度A指的是A.透射光强度B.入射光强度C.入射光与透射光的比率D.入射光与透射光的差值E.透射光强度减去入射光强度
考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
考题
光强为I1和I2的入射光叠加后的最大光强和最小光强分别是（）。
考题
在吸光光度法中，透过光强度和入射光强度之比，称为（）A、吸光度B、透光率C、吸收波长D、吸光系数E、液层厚度
考题
光度法定量分析中，如果入射光的单色性较差，会偏离Lambert-Beer定律，其原因是（）A、光强太弱B、物质对各波长光的ε值相近C、光强太强D、物质对各波长光的ε值相差较大
考题
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体。
考题
当光敏二极管受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流（）。A、光电流随入射光强度的增加而减小B、光电流不随入射光强度的变化而改变C、光电流随入射光强度的变化而变化D、以上都不对
考题
在分光光度分析中，入射光强度与透射光强度之比成为吸光度，吸光度的倒数的对数为透光率。
考题
光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和不干涉叠加的光强分别是（）。
考题
光波垂直入射到折射率为n=1.33的深水表面的反射光和入射光强度之比（）。
考题
光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和最小光强分别是（）。
考题
入射光强改变物质导电率的物理现象叫光生伏特效应
考题
把溶解于水后或在溶融状态下能导电的物质叫做（）。不能导电的物质叫（）。
考题
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
考题
在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为（），入射光强改变物质导电率的物理现象称为（）。
考题
在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。
考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
考题
导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质叫做半导体。
考题
填空题把溶解于水后或在溶融状态下能导电的物质叫做（）。不能导电的物质叫（）。
考题
填空题光波垂直入射到折射率为n=1.33的深水表面的反射光和入射光强度之比（）。
考题
填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
考题
填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
考题
填空题光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和最小光强分别是（）。
考题
单选题光度法定量分析中，如果入射光的单色性较差，会偏离Lambert-Beer定律，其原因是（）A
光强太弱B
物质对各波长光的ε值相近C
光强太强D
物质对各波长光的ε值相差较大
