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入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。

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考题 线偏振光入射到折射率为1.732的玻璃片上,入射角是60°,入射光的电失量与入射面30°角。求由分界面上反射的光强占入射光强的百分比。
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考题 光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
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考题 透射免疫浊度法的吸光度A指的是A、透射光强度B、入射光强度C、入射光与透射光的比率D、入射光与透射光的差值E、透射光强度减去入射光强度
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考题 在电离层中划分其不同导电层的依据是（）A、电离层的高度B、电子浓度C、折射率D、入射角
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
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考题 受激辐射与自发辐射的区别是：（）A、受激辐射光子的频率取决于两能级之差B、出射光子的能量比入射光子的能量增加一倍C、出射光强比入射光强增加一倍D、出射光子与入射光子的频率、相位，振动方向及传播方向都相同
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考题 吸光物质紫外-可见吸收光谱的峰位（λmax，λmin等）取决于（）A、电子跃迁能级差B、入射光波长C、入射光强度D、溶液的浓度
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考题 在分光光度分析中，入射光强度与透射光强度之比成为吸光度，吸光度的倒数的对数为透光率。
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考题 入射光强与透过光强之比为10，则底片黑度为（），若透射光强与入射光强之比为1：1000，则底片黑度为（）。
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考题 光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和不干涉叠加的光强分别是（）。
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考题 光波垂直入射到折射率为n=1.33的深水表面的反射光和入射光强度之比（）。
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考题 光强为Io的两束入射光叠加后的最大光强和最小光强分别是（）。
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考题 入射光强改变物质导电率的物理现象叫光生伏特效应
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考题 入射光强改变物质导电率的物理现象叫做（）。
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考题 入射光强改变物质导电率的物理现象叫做（），其包括（）和（）。
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考题 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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考题 在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为（），入射光强改变物质导电率的物理现象称为（）。
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考题 在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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考题 平行放置两偏振片，使它们的偏振化方向成60°角，则自然光垂直入射时，透射光强与入射光强之比为（）。
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 单选题吸光物质紫外-可见吸收光谱的峰位（λmax，λmin等）取决于（）A 电子跃迁能级差B 入射光波长C 入射光强度D 溶液的浓度
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考题 填空题光波垂直入射到折射率为n=1.33的深水表面的反射光和入射光强度之比（）。
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考题 填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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考题 单选题光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。A 光电导效应；B 光生伏特效应；C 内光电效应；D 光电发射。
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考题 填空题在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
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考题 单选题当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（）A 光电效应B 光电导现象C 热电效应D 光生伏特现象
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