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透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负电子跑向偏压的正极,正电子跑向偏压的负极,于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比,这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下,开关导通,把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大,送到A/D转换器,从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。场效应管的作用是()

  • A、产生电荷
  • B、存储电荷
  • C、开关
  • D、A/D转换
  • E、放大

参考答案

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考题 X线照射到直接FPD上时,X线光子使非晶硒激发出A、可见光B、电子空穴对C、荧光D、正电子E、低能X射线

考题 关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()。A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同

考题 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器S 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.胶片数字化仪E.计算机X线摄影

考题 关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

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考题 关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极

考题 非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

考题 属于DR成像直接转换方式的部件是()A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 DR成像设备类型包括()。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR

考题 单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A 信号读出B 荧光材料层和探测元阵列层的不同C A/D转换D 信号输出E 信号放大

考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

考题 多选题数字平板探测器主要分为(  )。A非晶硅B非晶硒CCCDDCREDR

考题 单选题非晶硒平板(  )。A B C D E

考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A 非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B 太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C 伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D 探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E 图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅

考题 单选题关于非晶硒平板探测器的叙述,不正确的是(  )。A 直接转换探测器使用了光导电材料,能将所吸收的光子转换成电荷,典型材料为非晶硒B 非晶体硒本身不具有固有空间分辨力C 电流的大小与入射X线光子的数量成正比D 由于电子和空穴是沿着电场线运动的,所以,它们在运动的过程中没有横向电荷散布E 各种数字平板探测器的图像质量可以用DQE来衡量

考题 单选题下列哪个是直接成像的平板探测器?(  )A 非晶硅B 碘化铯C 二极管D 闪烁晶体E 非晶硒

考题 多选题DR成像设备类型包括()。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR

考题 单选题下列不属于X线数字影像的获取或转换的方式的是(  )。A 胶片数字扫描仪B 计算机X线摄影C 碘化铯/非晶硅平板探测器D 非晶硒平板探测器E MRI

考题 填空题非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为(  )。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路

考题 单选题目前最常用的DR系统为(  )。A CsI+CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影

考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是()A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器

考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD