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填空题
非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

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考题 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器S 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.胶片数字化仪E.计算机X线摄影

考题 关于DR探测器的类型,错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR

考题 属于DR成像直接转换方式的是A.非晶硒平板探测器B.碘化铯+非晶硅平板探测器C.利用影像板进行X线摄影D.固定IP+CCD摄像机阵列E.硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()A、使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒(a-SE.C、每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同

考题 属于DR成像直接转换方式的是()A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆:铽+非晶硅平板探测器

考题 关于直接转换型平板探测器结构的描述,错误的是()A、玻璃基板B、集电矩阵C、非晶硒层D、半导体层E、顶层电极

考题 非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、()和()四部分。

考题 属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

考题 DR成像设备类型包括()。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR

考题 非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、高速信号处理单元和信号传输单元四部分。

考题 非晶硒平板探测器储存信息的元件是()A、TFTB、a-SeC、CsID、A/D转换器E、储能电容

考题 单选题非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的区别在于(  )。A 信号读出B 荧光材料层和探测元阵列层的不同C A/D转换D 信号输出E 信号放大

考题 多选题DR使用过的平板探测器材质是()A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅

考题 多选题数字平板探测器主要分为(  )。A非晶硅B非晶硒CCCDDCREDR

考题 多选题非晶硒平板探测器的结构包括(  )。AX线传播介质B探测器单元阵列C高速信号处理D数字影像传输E数字图像重建

考题 多选题目前DSA设备图像检测探测器主要有()。A影像增强器系统结合电荷耦合器件的探测器B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D阴极射线管E影像增强器

考题 单选题GE悬吊无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 单选题关于探测器说法,不正确的是(  )。A 非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B 太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C 伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D 探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E 图像持留时间限制了图像的采集速度,这对全自动曝光技术带来了负面效应

考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是(  )。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅

考题 单选题下列哪个是直接成像的平板探测器?(  )A 非晶硅B 碘化铯C 二极管D 闪烁晶体E 非晶硒

考题 多选题DR成像设备类型包括()。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR

考题 单选题下列不属于X线数字影像的获取或转换的方式的是(  )。A 胶片数字扫描仪B 计算机X线摄影C 碘化铯/非晶硅平板探测器D 非晶硒平板探测器E MRI

考题 单选题目前最常用的DR系统为(  )。A CsI+CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影

考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是(  )。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器

考题 单选题下列哪项不是非晶硒平板探测器的结构?(  )A 探测器单元阵列部分B 碘化铯闪烁体层部分C 数字影像传输部分D X线转换介质部分E 高速信号处理部分

考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是()A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD

考题 填空题非晶硒平板探测器的结构主要包括()、()、高速信号处理单元和信号传输单元四部分。