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结晶操作中,应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。


参考答案

更多 “结晶操作中,应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。” 相关考题
考题 从溶液中析出固体时,若长时间没有固体析出,应()。 A.升高温度B.增大压力C.加入晶种D.其它

考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 结晶操作中,应在溶液进入介稳区内适当温度时加入晶种。此题为判断题(对,错)。

考题 在碳化塔内,碳化液结晶的实际操作线在()。A、冷却段B、吸收段C、结晶段D、介稳区

考题 在分批冷却结晶操作中,使“溶液慢慢达到过饱和状态,产生较多晶核”的操作方式是()A、不加晶种,迅速冷却B、不加晶种,缓慢冷却C、加晶种,迅速冷却D、加晶种而缓慢冷却

考题 为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可

考题 在结晶操作中,适当地增强搅拌强度()A、可以增大饱和度B、可以降低饱和度C、可以使介稳区扩大D、可以使不稳定区扩大

考题 通常结晶都在()区操作A、不稳B、稳定C、介稳D、饱和

考题 在结晶操作中,适当地增加搅拌强度,()A、可以增大饱和度B、可以降低饱和度C、可以使介稳区扩大D、可以使不稳区扩大

考题 加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 在结晶操作中,加入晶种粒子大,长出的结晶颗粒()A、也大B、小C、适中D、参差不齐

考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指()。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 加晶种法使溶液结晶,加入的晶种一定是溶质本身。

考题 从溶液中析出固体时,若长时间没有固体析出,应()。A、升高温度B、增大压力C、加入晶种D、其它

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 结晶操作时,在温度较高的情况下,为减少扩散阻力,可以()A、降低操作温度B、提高操作温度C、增加品种数量D、增加固体晶种与溶液之间的相对速度

考题 结晶时,若要获得颗粒少但是粒度大的晶体,应该控制溶液在()结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 填空题在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题结晶操作时,在温度较高的情况下,为减少扩散阻力,可以()A 降低操作温度B 提高操作温度C 增加品种数量D 增加固体晶种与溶液之间的相对速度

考题 单选题为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A 稳定区B 介稳区C 不稳区D 介稳区与不稳区均可

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区