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单选题
在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区

参考答案

参考解析
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考题 下列选项中，不会影响成核速率的的是（）。A、温度B、杂C、压力D、过饱和度
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考题 根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 成核的两种形式是（）。A、初次结晶，一次晶核B、晶种，二次晶核C、一次晶核，二次晶核D、初次结晶，晶种
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考题 加晶种控制结晶，使溶液的过饱和度控制在介稳区中，不会出现（）现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核
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考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体，常在介稳区进行结晶。介稳区是指（）。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度，但程度小，不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大，能自发地析出结晶的区域
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考题 当通过汽化移去溶液时，蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高，必须补充含颗粒的（），使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，自发成核区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A、不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶初级成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 根据结晶动力学理论，结晶溶液过饱和度高，结晶速率越快，在工业结晶操作时，应选择（）的最高过饱和度。A、不影响结晶密度（质量）B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，结晶二次成核出现在（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，第一介稳区内不会自发成核，当加入结晶颗粒时，结晶会生长，但不会产生（），这种加入的结晶颗粒称为（）。
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考题 在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种时，结晶会生长，不会产生新晶核的区域是（）。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区
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考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上，不会自发成核，但加入晶种后，在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是（）。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区
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考题 单选题结晶过程中，溶质过饱和度大小（）。A 不仅会影响晶核的形成速度，而且会影响晶体的长大速度B 只会影响晶核的形成速度，但不会影响晶体的长大速度C 不会影响晶核的形成速度，但会影响晶体的长大速度D 不会影响晶核的形成速度，而且不会影响晶体的长大速度
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考题 多选题根据结晶动力学理论，工业结晶操作时选择过饱和度的原则是（）。A不影响结晶密度（质量）B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢
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