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在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。

  • A、稳定区
  • B、第一介稳区
  • C、第二介稳区
  • D、不稳定区

参考答案

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考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 在结晶过程中为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。A、稳定区B、介稳区C、不稳定区

考题 制碱塔内,在结晶过程中,为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、冷却段

考题 为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可

考题 溶液自发产生晶核是在()A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、过饱和区

考题 在()可以通过外因引起成核过程A、不稳区B、稳定区C、介稳区D、过饱和区

考题 加晶种控制结晶,使溶液的过饱和度控制在介稳区中,不会出现()现象A、初级成核B、次级成核C、均相成核D、非均相成核

考题 在溶液状态图中,溶液自发产生晶核的区域是()区。A、不稳B、稳定C、介稳D、第二介稳

考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指()。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,无晶体析出的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 结晶时,若要获得颗粒少但是粒度大的晶体,应该控制溶液在()结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在描述结晶的温度—浓度图中,不能自发形成晶核,但能使晶体长大的区域是()A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、两相区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种后,在结晶生长的同时会有新晶核产生的区域是()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 填空题在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 单选题为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A 稳定区B 介稳区C 不稳区D 介稳区与不稳区均可

考题 多选题在饱和与过饱和温度曲线上,无晶体析出的区域是()。A稳定区B第一介稳区C第二介稳区D不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,自发成核区域是()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区