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单选题
在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。
A

稳定区

B

第一介稳区

C

第二介稳区

D

不稳定区


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指( )。A.溶液没有达到饱和的区域B.溶液刚好达到饱和的区域C.溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D.溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 在结晶操作时,温度变化(冷却、蒸发速度)应与结晶()相适应,维持一定的溶液过饱和度。

考题 根据结晶动力学理论,工业结晶操作时选择过饱和度的原则是()。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

考题 为了使结晶器具有较大生产能力,同时得到希望的晶体粒度,结晶操作应控制溶液的过饱和度在()。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、介稳区与不稳区均可

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考题 在结晶操作中,若溶液过饱和度大,冷却速度快,强烈地搅拌,得到的晶体颗粒()A、大B、小C、适中D、参差不齐

考题 在工业生产中为了得到质量好粒度大的晶体,常在介稳区进行结晶。介稳区是指()。A、溶液没有达到饱和的区域B、溶液刚好达到饱和的区域C、溶液有一定过饱和度,但程度小,不能自发地析出结晶的区域D、溶液的过饱和程度大,能自发地析出结晶的区域

考题 结晶操作中当一定物质在一定溶剂中的溶解质主要随()变化。A、溶质浓度B、操作压强C、操作温度D、过饱和度

考题 下列有关溶液叙述正确的是()。A、溶液一旦达到过饱和就能自发的析出晶体B、过饱和溶液的温度与饱和溶液的温度差成为过饱和度C、过饱和溶液可以通过冷却饱和溶液来制备D、对一定的溶质和溶剂其超饱和解度曲线只有一条

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,无晶体析出的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,为了产品质量控制和提高晶体回收率,工业结晶操作应在()进行。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 工业结晶操作时,如何选取适宜的结晶溶液过饱和度?

考题 在饱和与过饱和温度曲线上,不会自发成核,但加入晶种时,结晶会生长,不会产生新晶核的区域是()。A、稳定区B、第一介稳区C、第二介稳区D、不稳定区

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶二次成核出现在()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 问答题工业结晶操作时,如何选取适宜的结晶溶液过饱和度?

考题 填空题在饱和与过饱和温度曲线上,第一介稳区内不会自发成核,当加入结晶颗粒时,结晶会生长,但不会产生(),这种加入的结晶颗粒称为()。

考题 单选题在饱和与过饱和温度曲线上,结晶初级成核出现在()。A 稳定区B 第一介稳区C 第二介稳区D 不稳定区

考题 多选题根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

考题 单选题下列对溶解或结晶叙述正确的是()A 溶液一旦达到饱和,就能自发地析出晶体B 过饱和溶液的温度与饱和溶液的温度差称为过饱和度C 过饱和溶液可通过冷却饱和溶液来制备D 对一定的溶液和溶剂,其超溶解度曲线只有一条

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