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IGBT的驱动方法和（）基本相同，故具有高输入阻抗特性。

  • A、MOSFET
  • B、GTO
  • C、SCR
  • D、GTR

参考答案

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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
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考题 以下器件属于通过门极信号既能控制其导通又能控制其关断的器件的是：()A、BJTB、GTOC、SCRD、IGBT
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考题 IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
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考题 IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
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考题 IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是(); A.输出饱和压降低；B.输入阻抗高；C.开关速度高；D.通态度损耗小；
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考题 采用交-直-交技术的变频器，整流环节通常使用哪些电力电子器件？（）A、二极管、三极管、MOSFETB、运算放大器、二极管、GTOC、电力二极管、晶闸管、IGBTD、三极管、场效应管、GTR
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考题 绝缘栅双极晶体管指的是（）。A、MOSFETB、GT0C、IGBTD、GTR
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考题 电力场效应管指的是（）。A、MOSFETB、GTOC、IGBTD、GTR
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考题 IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。
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考题 IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；A、输出饱和压降低；B、输入阻抗高；C、开关速度高；D、通态度损耗小；
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考题 IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。A、较高的输入阻抗B、较低的输入阻抗C、较高的工作频率D、较低的工作频率
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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
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考题 现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。A、MOSFETB、IGBTC、晶闸管D、GTR
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考题 功率最大的器件是（）。A、MOSFETB、IGBTC、SCRD、电力三极管
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考题 下列属于单极型电压驱动型器件的是（）。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT
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考题 IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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考题 下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR
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考题 单选题采用交-直-交技术的变频器，整流环节通常使用哪些电力电子器件？（）A 二极管、三极管、MOSFETB 运算放大器、二极管、GTOC 电力二极管、晶闸管、IGBTD 三极管、场效应管、GTR
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考题 多选题IGBT功率器件同时具有（）和较低的饱和压降，从而能够很自然地跨入高电压大电流的工作领域。A较高的输入阻抗B较低的输入阻抗C较高的工作频率D较低的工作频率
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考题 多选题IGBT是绝缘栅型双极性晶体管，它的特性是（）；A输出饱和压降低；B输入阻抗高；C开关速度高；D通态度损耗小；
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 填空题IGBT的驱动特性原则上与（）的几乎相同。
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