考题
()是功率半导体器件的特点。A、大电流B、小电流C、大功率D、小功率
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时,______而可能成为器件功率损耗的主要因素。
考题
下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。
A、GTRB、SCRC、IGBTD、GTO
考题
在无线电技术中，通常把放大器分为A、B、C、D等类别，这种分类是依据（）A、放大器件的工作点所处的范围B、放大器件的质量等级C、放大器件的最高工作频率D、放大器件的最大输出功率
考题
元器件和设备安全工作时所允许的最大电功率，称为额定电功率。
考题
开关电源的原理中，零电压开关转换是为（）.A、降低功率器件开关时的功率损耗；B、降低功率器件的电压；C、降低功率器件的负载；D、降低功率器件的电流.
考题
（）器件是目前通用变频器中广泛使用的主流功率器件。
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。
考题
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
考题
波分系统中的下列器件不是必须的是（）A、合波器件B、功率放大器件C、分波器件D、发送端波长转换器件
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
用于吸收无源器件上未使用端口的信号功率的器件是（）.
考题
下列器件中造成光损耗最大的是（）A、熔接点B、分光器C、适配器D、光功率计
考题
接电路元器件时，主要应关注元器件的耐压和能承受的功率。
考题
放大器输出功率要受到器件耐压和最大容许输出电流的限制。（）
考题
把元器件和设备安全工作时所允许的（）电功率叫做它们的额定功率。A、正常B、最大C、最小D、临界
考题
填空题目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有（）以及两者混合管，功率集成器件等。
考题
多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT
考题
单选题下列器件中造成光损耗最大的是（）A
熔接点B
分光器C
适配器D
光功率计
考题
判断题功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。A
对B
错
考题
填空题用于吸收无源器件上未使用端口的信号功率的器件是（）.
考题
单选题（）电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率，且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。A
自偏置B
恒流C
零伏偏置D
反向偏置
