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单选题
焦饼中心缝产生的主要原因（）。
A

加热程度太高

B

煤的变质程度不够

C

由于内部气体压力及半焦收缩

D

集气管压力过大

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考题 焦饼中心缝产生的主要原因（）A.加热程度太高B.煤的变质程度不够C.由于内部气体压力及半焦收缩D.集气管压力过大
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考题 ()温度确定的依据是焦饼中心温度。
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考题 焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
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考题 在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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考题 焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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考题 焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据，同时又是确定机焦侧温度差的依据。
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考题 改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。
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考题 焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
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考题 一般焦饼中心温度达到（）可视为焦饼成熟。
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考题 测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
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考题 焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机.焦侧温度差的依据。
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考题 成熟焦饼中心面上有一条缝称为（）。
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考题 焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃
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考题 焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
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考题 用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A、300B、600C、800
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考题 配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
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考题 测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
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考题 焦饼中心温度为900±50℃。
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考题 规定的焦饼中心温度（）。A、（800±50）℃B、（900±50）℃C、（1000±50）℃
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考题 焦饼中心缝产生的主要原因（）。A、加热程度太高B、煤的变质程度不够C、由于内部气体压力及半焦收缩D、集气管压力过大
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考题 问答题测量焦饼中心温度的目的是什么？
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考题 问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
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考题 填空题成熟焦饼中心面上有一条缝称为（）。
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考题 判断题焦饼中心温度为900±50℃。A 对B 错
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考题 判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A 对B 错
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考题 单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A 800±50℃B 900±50℃C 1000±50℃D 1100±50℃
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考题 单选题用焦饼中心测温管测焦饼中心温度时，管端距炭化室底部约为（）mm。A 300B 600C 800
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