考题
焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机、焦侧温度差的依据。（）此题为判断题(对，错)。
考题
焦饼中心温度一般控制在1000+50℃。（）此题为判断题(对，错)。
考题
在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
考题
煤隔绝空气加热，经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段，当焦饼中心温度达到（），最终成为成熟的焦炭。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃
考题
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
考题
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
考题
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A、800±50℃B、900±50℃C、1000±50℃D、1100±50℃
考题
规定的焦饼中心温度（）。A、（800±50）℃B、（900±50）℃C、（1000±50）℃
考题
判断题测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。A
对B
错
考题
判断题焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。A
对B
错
考题
判断题改变结焦时间或改变标准温度时，应该加测焦饼中心温度。A
对B
错
考题
判断题同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变25～30℃。A
对B
错
考题
判断题配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。A
对B
错
考题
单选题规定的焦饼中心温度（）。A
（800±50）℃B
（900±50）℃C
（1000±50）℃
考题
判断题焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机，焦侧温度差的依据。A
对B
错
考题
判断题焦饼中心温度是确定标准立火道温度的依据，同时又是确定机焦侧温度差的依据。A
对B
错
考题
判断题改变结焦时间或改变标准温度时，应该测量焦饼中心温度。A
对B
错
考题
判断题同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变25-30℃。A
对B
错
考题
判断题测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。A
对B
错
考题
问答题在什么情况下要测量焦饼中心温度？怎样测量焦饼中心温度？
考题
判断题正常情况下，焦饼中心温度每季度测量两次。A
对B
错
考题
单选题焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。A
800±50℃B
900±50℃C
1000±50℃D
1100±50℃
考题
判断题焦饼中心温度上下温差不超过150℃。A
对B
错
考题
判断题焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。A
对B
错
