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判断题
酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定,容易控制。
A

B


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考题 晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20μm厚的表面层。

考题 判断题蚀刻液中只需要含有氯化铜即可达到理想蚀刻要求。A 对B 错

考题 问答题在用酸碱性氯化铜蚀刻若形成氯化亚铜沉淀,有何不利因素。

考题 判断题蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高,蚀刻速率加快。A 对B 错

考题 判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A 对B 错

考题 单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于()。A 鼓泡式蚀刻液的酸性更强B 鼓泡式蚀刻通入空气C 鼓泡式蚀刻液的酸性更强D 鼓泡式蚀刻通入氧气

考题 判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A 对B 错

考题 判断题所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液,大部分金属不可用酸性蚀刻液,金除外。A 对B 错

考题 单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液()。A 浸泡式蚀刻B 鼓泡式蚀刻C 泼溅式蚀刻D 喷淋式蚀刻

考题 判断题碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时,蚀刻速率慢,溶液稳定性差。A 对B 错

考题 单选题碱性氯化铜蚀刻液一定可用于下列何种抗蚀层()。A 锡B 干膜C 油墨D 都不是

考题 多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足

考题 多选题在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有()。A溶液温度过高B溶液被污染C显影有余胶D传递速度过快

考题 多选题酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高,会使()。A盐酸挥发B抗蚀层破坏C溶液组分比例失调D无影响

考题 判断题酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。A 对B 错

考题 单选题酸性氯化铜蚀刻中,可通过增加哪种离子的含量来减少氯化亚铜沉淀的生成()。A 二价铜离子B 一价铜离子C 氯离子D 钠离子

考题 多选题酸性氯化铜蚀刻体系中常用的氯化物的种类为()。A氯化钠B氯化氢C氯化钙D氯化镁

考题 多选题蚀刻液的种类有()。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道

考题 多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有()。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易

考题 判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低,氮水浓度太低,蚀刻速率变慢。A 对B 错

考题 判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A 对B 错

考题 多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足

考题 判断题碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。A 对B 错

考题 单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低,会加大侧蚀量,这是因为()。A 蚀刻液的密度太低,造成温度过低,反应速度过慢B 蚀刻液的密度太低,溶液中的二价铜离子含量偏低C 蚀刻液的密度太低,即溶液的pH值太低D 蚀刻液的密度太低,溶液中的氯化铵含量太少

考题 判断题在酸碱性氯化铜蚀刻液中都是含铜量越多越好。A 对B 错

考题 单选题不适宜在碱性氯化铜蚀刻液中蚀刻的抗蚀层是()。A 金B 锡铅合金C 油墨D 镍

考题 多选题在酸性氯化铜蚀刻液体系的再生方法中,由于氯气是强氧化剂,直接通氯气是再生的最好方法。是因为()。A成本低B再生速率快C无污染D设备简单