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填空题
在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
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考题
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
考题
依托哪里的半导体照明工程产业化基地和一批核心企业，大力推进硅衬底发光材料生产新工艺产业化，重点发展半导体发光材料和器件、新型显示器、节能照明产品，提升产业层次，延长产业链，扩大产业规模。（）A、新余B、上饶C、南昌
考题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）A、体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工B、体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工C、体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构
考题
各种踢脚线的不同基层衬底为（）。A、木踢脚板以木基层为衬底B、聚氯乙烯塑料踢脚板以木基层为衬底C、氯化聚乙烯塑料卷材踢脚板以水泥类基层为衬底D、石材踢脚板以水泥类基层为衬底E、玻璃踢脚板既有以水泥类基层为衬底，也有木基层为衬底
考题
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C
2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D
2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
考题
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A
空穴移向衬底深处B
空穴移向二氧化硅层C
电子移向二氧化硅层D
电子移向衬底层深处
考题
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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