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硅外延生长工艺包括（）。
- A、衬底制备
- B、原位HCl腐蚀
- C、生长温度，生长压力，生长速度
- D、尾气的处理
参考答案
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考题
下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
考题
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。A、反应温度在280℃~300℃之间B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥C、晶体生长速度D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度
考题
如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
单选题下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）A
加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长B
加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长C
加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长D
加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
考题
单选题如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）A
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长B
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长C
加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长D
加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
考题
填空题单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
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