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半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）

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更多 “半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 N型半导体带负电，P型半导体带正电。此题为判断题(对，错)。
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考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
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考题 文中（ 2 ）处正确的答案是（ ）。A．不重叠，无隔离带B．重叠，无隔离带C．不重叠，有隔离带D．重叠，有隔离带
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
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考题 重叠绕包是指用带状材料绕包时，带边与相邻带边（）的绕包形式。
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考题 可能具有间隙或过盈的配合是过渡配合，此时孔的公差带与轴的公差带相互重叠。
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考题 N型半导体的载流子为带正电的空穴。
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考题 与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 孔的公差带在轴的公差带之上为（）配合；孔的公差带与轴的公差带相互重叠为（）配合；孔的公差带在轴的公差带之下为（）配合。
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考题 半导体中空穴带正电，电子带负电。
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考题 产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
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考题 P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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考题 N型半导体带有很多（）。A、带正电量的空穴B、带负电量的空穴C、带正电量的自由电子D、带负电量的自由电子
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考题 要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 孤立原子相互靠近时，为什么会发生能级分裂和形成能带？禁带的形成规律是什么？何为材料的能带结构？ 
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考题 填空题孔的公差带在轴的公差带之上为（）配合；孔的公差带与轴的公差带相互重叠为（）配合；孔的公差带在轴的公差带之下为（）配合。
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
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考题 问答题本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同？
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考题 填空题与块体材料相比，半导体纳米团簇的带隙展宽，展宽量与颗粒尺寸成（）比。
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 问答题半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别？
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考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
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