考题
关于能带描述正确的是()
A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
考题
抗原抗体反应中，抗原过量时的沉淀反应称为A、等价带B、带现象C、前带D、后带E、以上均不是
考题
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。
A.禁带B.允带C.导带D.价带
考题
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
考题
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
考题
A.后带B.等价带C.前带D.前带或后带E.前带和等价带抗体过剩时称为
考题
A.后带B.等价带C.前带D.前带或后带E.前带和等价带只形成可溶性的抗原抗体复合物
考题
由于抗体过量导致抗原抗体结合物减少的现象为A.前带
B.后带
C.带现象
D.等价带
E.等电点
考题
沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带
B.前带
C.高带
D.等价带
E.以上都不是
考题
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中
B.导带中
C.禁带中，但接近满带顶
D.禁带中，但接近导带底
考题
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
考题
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
考题
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
考题
只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
考题
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
考题
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A
禁带B
满带C
导带D
价带
考题
单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A
电子为多子B
空穴为少子C
能带图中施主能级靠近于导带底D
能带图中受主能级靠近于价带顶
考题
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A
禁带B
价带C
导带D
满带
考题
单选题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A
前带B
后带C
前带或后带D
前带和等价带E
等价带
考题
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A
后带B
前带C
高带D
等价带E
不等价带
考题
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A
禁带B
价带C
导带D
满带
考题
单选题抗体过剩时称为（）A
前带B
后带C
前带或后带D
前带和等价带E
等价带
考题
配伍题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）|抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
考题
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A
价带，导带B
价带，禁带C
禁带，导带D
导带，价带
