考题
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。
A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
在采用电力MOSFET的电路中,采用( )方式换流。
A.器件换流B.电网换流C.负载换流D.强迫换流
考题
与GTR相比MOSFET的优点有：开关速度快、损耗低、驱动功率小和（）等优点。
考题
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
考题
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
考题
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
考题
功率MOSFET是（）型器件。A、全控B、半控
考题
下列属于半控型器件的是（）。A、IGBTB、SCRC、GTOD、MOSFET
考题
目前开关电源的开关器件有（）。A、SCRB、IGBTC、EMID、MOSFET
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
在采用电力MOSFET的电路中，采用（）方式换流。A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流
考题
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。A、晶闸管B、GTOC、IGBTD、IPM
考题
问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
考题
判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A
对B
错
考题
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
考题
填空题功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
考题
单选题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。A
P阱，P沟B
P阱、N沟C
N阱、N沟D
N阱、P沟
考题
问答题有一nMOS E /D反相器，若VTE=2V，VTD=-2V，KNE/KND=25，VDD=2V，求此反相器的高、低输出逻辑电平是多少？
考题
单选题在采用电力MOSFET的电路中，采用（）方式换流。A
器件换流B
电网换流C
负载换流D
强迫换流
