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下列器件中,()集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。

  • A、晶闸管
  • B、GTO
  • C、IGBT
  • D、IPM

参考答案

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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

考题 SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

考题 与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

考题 绝缘栅双极晶体管IGBT将()和GTR的优点集于一身。A、GTOB、MOSFETC、IPMD、GBT

考题 下列电力电子器件中,()的驱动功率小,驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管

考题 功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

考题 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

考题 MOSFET晶体管属于()器件。A、电流型控制B、电压型控制C、功率型控制D、P0004

考题 功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

考题 功率MOSFET是一种()器件,具有驱动功率小,工作速度快,无二次击穿和安全区宽等特点。

考题 功率MOSFET驱动功率小,驱动电路简单,功率增益高,是一种()控制器件。A、电压B、电流C、功率

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

考题 功率MOSFET是()型器件。A、全控B、半控

考题 恒流驱动电路中,电容C的作用是()。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件

考题 不属于全控型功率电子器件的是()。A、GTOB、GTRC、FSTD、MOSFET

考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和()的优点集于一身。A、GTOB、GTRC、二极管D、GBT

考题 问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点?

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A 电压B 电流C 电阻D 功率

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A 对B 错

考题 单选题功率MOSFET是()型器件。A 全控B 半控

考题 填空题与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

考题 填空题功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。