考题
硅整流二极管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是指()。
A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
考题
晶闸管的额定电压是( )。
A. 断态重复峰值电压B.反向重复峰值电压C. A和B中较大者D. A和B中较小者
考题
晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
考题
晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()。
A、50VB、80VC、100VD、120V
考题
晶闸管门极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压称为（）峰值电压。A、断态重复B、断态不重复C、反向重复D、反向不重复
考题
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
考题
允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
考题
二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
考题
可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A、50B、80C、100D、120
考题
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
考题
晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为（）A、反向峰值电压较小B、反向转折电压较大C、两者相等D、反向峰值电压大于反向转折电压
考题
如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
考题
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
考题
晶闸管整流元件的额定电压是指它的反向不重复峰值电压。
考题
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
考题
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
考题
KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压（）。A、1000VB、10VC、2000VD、20V
考题
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
考题
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
考题
二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。
考题
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
考题
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
考题
填空题晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小（）。
考题
单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A
转折电压B
反向击穿电压C
阈值电压D
额定电压
