考题
上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。此题为判断题(对，错)。
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度
考题
点火温度取决于烧结生成物的熔化温度。此题为判断题(对，错)。
考题
其它条件相同时，烧结含结晶水的物料时，一般比烧结不含结晶水的物料，最高温度要__________。
考题
炉膛出口温度设计值原则上规定为()。A.1050℃B.B低于灰的软化温度减100℃C.低于熔化温度减100℃
考题
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
考题
烧结点火温度的高低，主要取决于烧结生成物的（）温度。A、软化B、熔化C、氧化
考题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
考题
再结晶退火时，加热温度应达到（）。A、再结晶温度以上B、Ms温度以上C、1100℃以上D、再结晶温度以下
考题
烧结点火强度主要与混合料性质，通过料层风量和点火器（）有关。A、温度B、强度C、热效率
考题
烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。
考题
改善烧结料层温度的分布和烧结质量应采取哪些措施？
考题
炉膛出口温度设计值原则上规定为（）。A、1050℃B、B低于灰的软化温度减100℃C、低于熔化温度减100℃
考题
名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
考题
单选题瓷熔附合金的熔化温度应比瓷的烧结温度和用于连接桥体的焊料温度（）A
低B
稍低C
接近D
高
考题
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A
低于体瓷烧结温度5℃B
低于体瓷烧结温度10℃C
高于体瓷烧结温度5℃D
高于体瓷烧结温度10℃E
以上均不正确
考题
问答题名词解释：烧结、烧结温度、泰曼温度、液相烧结、固相烧结、初次再结晶、晶粒长大、二次再结晶。
考题
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A
与体瓷的烧结温度相同B
低于体瓷烧结温度6～8℃C
低于体瓷烧结温度10～20°CD
高于体瓷烧结温度6～8℃E
高于体瓷烧结温度10～20℃
