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烧结点火温度原则上应低于烧结料熔化温度而接近物料的软化温度。

此题为判断题(对,错)。


参考答案

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考题 上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

考题 烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。

考题 烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度

考题 点火温度取决于烧结生成物的熔化温度。此题为判断题(对,错)。

考题 炉膛出口温度设计值原则上规定为()。A.1050℃B.B低于灰的软化温度减100℃C.低于熔化温度减100℃

考题 影响烧结的直接因素因素有()。A.烧结温度B.烧结时间C.物料活性D.物料粒度

考题 在以扩散传质为主的烧结过程中,为提高烧结速率,可采取以下措施()A.大幅延长烧结时间,减小烧结粉料的起始粒度B.适当提高烧结温度,减小烧结粉料的起始粒度C.增加烧结粉料的起始粒度,延长烧结时间D.提高烧结温度,延长烧结时间