考题
改善超声波指向性的方法除外A、近场的长度B、近场的扩散角C、超声频率D、增加探头直径E、远场的范围
考题
要减小近场区长度，必须更换大直径探头。（）此题为判断题(对，错)。
考题
通过什么方法可以得到较大的近场区：A、使用高频探头B、减小阻尼C、减小探头直径D、增大阻尼
考题
通过以下哪种方法可以获得较大的近场区A、使用高频探头B、在探头上加一凸透镜C、减小探头直径D、增大阻尼E、以上都不对
考题
通过什么方法可获得较大的近场区A．使用高频探头B．使用低频探头C．增大阻尼D．减小阻尼E．减小探头直径
考题
通过什么方法可以获得较大的近场区A．使用高频探头B．在探头上加一凸透镜C．减小探头直径D．增大阻尼E．以上都不对
考题
根据近场长度公式，可以通过()方法减小近场长度A.减小水距
B.增大探头直径
C.减小反射体
D.降低试验频率
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A、K值增大时，近场区长度不变B、K值增大时，近场区长度增大C、K值增大时，近场区长度减小D、K值与近场区长度无关
考题
其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。
考题
通过什么方法可以获得较大的近场区（）A、使用高频探头B、在探头上加一凸透镜C、减小探头直径D、增大阻尼E、以上都不对
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
改善超声波指向性的方法不包括（）。A、近场的长度B、近场的扩散角C、超声频率D、增加探头直径E、远场的范围
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A、扩散B、增大C、不变D、减小
考题
单选题根据近场长度公式，可以通过（）方法减小近场长度A
减小水距B
增大探头直径C
减小反射体D
降低试验频率
考题
单选题通过什么方法可以获得较大的近场区（ ）。A
使用高频探头B
在探头上加一凸透镜C
减小探头直径D
增大阻尼E
以上都不对
考题
单选题通过什么方法可以得到较大的近场区（）。A
使用高频探头B
减小阻尼C
减小探头直径D
增大阻尼
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
判断题要减小近场区长度，必须更换大直径探头。A
对B
错
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
判断题其它条件相同时，钢中横波声场近场长度随探头的折射角增大而减小。A
对B
错
考题
单选题邻近压电芯片的超声场为近场，其长度在频率给定时，随芯片直径增加而（）。A
扩散B
增大C
不变D
减小
考题
单选题改善超声波指向性的方法除外（ ）。A
近场的长度B
近场的扩散角C
超声频率D
增加探头直径E
远场的范围
