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金属封装材料钨、钼具有与硅Si和砷化镓GaAs相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料。

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更多 “金属封装材料钨、钼具有与硅Si和砷化镓GaAs相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料。” 相关考题
考题 以下不属于太阳能光伏电池材料的是()。 A.硫化镉B.砷化镓C.氟化铵D.多晶硅
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考题 轴瓦材料应具备以下性能:①摩擦系数小;②()、抗腐蚀、抗胶合能力强;③有足够的机械强度和塑性;④导热性好,热膨胀系数小
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考题 目前，集成电路晶体管普遍采用硅材料制造，当硅材料尺寸小于10纳米时，用它制造出的晶体管稳定性变差。而2010年获得诺贝尔物理学奖的 ______即使被切成1纳米宽的元件，导电性也很好。因此，它被普遍认为会最终替代硅，从而引发电子工业革命。A．热敏材料B．砷化镓材料C．光敏材料D．石墨烯材料
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考题 硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。 A．错误B．正确
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考题 发光二极管一般是由半导体材料砷化镓（GaAs）制成。
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考题 镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体，是一种（）材料。
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考题 FET的主要材料是（）。A、钢B、硅C、砷化镓D、铝合金
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考题 砷化镓相对于硅的优点是什么？
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考题 下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
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考题 氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
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考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
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考题 转换效率比较高的太阻电池材料是（）。A、砷化镓B、非晶硅C、单晶硅D、陶瓷
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考题 太阳能电池一般由半导体材料制成。下面不属于半导体材料的是（）。A、锗B、玻璃C、砷化镓D、硅
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考题 （）是最常用的一种半导体材料。A、砷化镓B、硅C、磷D、锢
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考题 下列说法中错误的是（）A、微电子技术以集成电路为核心B、硅是微电子产业中常用的半导体材料C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D、制造集成电路都需要使用半导体材料
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考题 下列关于电子产业说法中错误的是（）A、微电子技术以集成电路为核心B、硅是微电子产业中常用的半导体材料C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅D、制造集成电路都需要使用半导体材料
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考题 以下不属于太阳能光伏电池材料的是（）。A、硫化镉B、砷化镓C、氟化铵D、多晶硅
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考题 硅、锗、硒、砷化镓等介于导体与绝缘体之间的物体为半导体。
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考题 问答题砷化镓相对于硅的主要缺点是什么？
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考题 单选题在微电子机械系统（MEMS）中，材料以（）为主。A 硅B 钨C 铁D 钼
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考题 问答题比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
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考题 问答题与Si材料相比，GaAs具有哪些优点？
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考题 判断题氮化镓、碳化硅、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。A 对B 错
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考题 单选题提高材料的热疲劳抗力应选用（）材料。A 热膨胀系数小的B 弹性好的C 导热性小的D 韧性小的
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考题 问答题砷化镓相对于硅的优点是什么？
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考题 填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
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考题 单选题（）是最常用的一种半导体材料。A 砷化镓B 硅C 磷D 锢
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考题 填空题半导体材料中锗和硅属于（）结构，砷化镓属于（）结构。
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