考题
G:E→ET＋|T T→TF*|F F→FP@|P P→E|i 求助 FET＋T*I@ 是否是右句型,句柄是什么?
考题
FET管的输入电阻与输出电阻为（）A、前者甚大，后者较小B、前者不大，后者甚大C、均甚大D、均不大
考题
英文简写“FET”通常表示的含义是（）A、二极管B、三极管C、场效应管D、复合三极管
考题
BJT与FET管的输出电阻为（）A、均很大B、均很小C、BJT管很大，FET管较小D、BJT管很小，FET管较大
考题
对显示骨髓病变较敏感的MRI扫描序列为（）A、SET1WIB、FET2*WIC、STIRD、FSEPDWIE、MRI增强检查
考题
光端机的（）光器件须用APC电路。A、LEDB、LDC、FET-PIND、APD
考题
BJT是（）控制器件，FET是（）控制器件。
考题
目前临床应用最广泛、被誉为世纪分子的肿瘤显像剂是（）A、18F-FDGB、99mTc-MDPC、C-METD、99mTc-MIBIE、18F-FET
考题
目前临床应用最广泛、被誉为"世纪分子"的肿瘤显像剂是（）A、18F-FDGB、99mTc-MDPC、11C-METD、99mTc-MIBIE、18F-FET
考题
在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电流源电路来代替。
考题
FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于（）器件。
考题
什么叫做耗尽型FET？什么叫做增强性FET？
考题
当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
考题
FET工作在可变电阻区时，iD与uGS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的（）。
考题
FET是通过改变（）来改变漏极电流（）的，所以它是一个（）器件。
考题
在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的（）电路来代替。
考题
单选题BJT与FET管的输出电阻为（）A
均很大B
均很小C
BJT管很大，FET管较小D
BJT管很小，FET管较大
考题
单选题FET管的输入电阻与输出电阻为（）A
前者甚大，后者较小B
前者不大，后者甚大C
均甚大D
均不大
考题
填空题采用场效应管FET的混频器比采用双极型管的混频器，产生的组合频率更（）。
考题
填空题FET管是一种（）的有源器件，其二种特性曲线为（）（）。
考题
问答题FET的两种基本类型是什么，他们之间的主要区别是什么？
考题
单选题目前临床应用最广泛、被誉为世纪分子的肿瘤显像剂是（）A
18F-FDGB
99mTc-MDPC
C-METD
99mTc-MIBIE
18F-FET
