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NPN型三极管工作在线性区的外部条件是 。

A.VE<VC<VB

B.VC<VB<VE

C.VB<VC<VE

D.VE<VB<VC


参考答案和解析
正确
更多 “NPN型三极管工作在线性区的外部条件是 。A.VE<VC<VBB.VC<VB<VEC.VB<VC<VED.VE<VB<VC” 相关考题
考题 NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是()极。

考题 3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料

考题 三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅

考题 在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。A、NPN 型硅管B、NPN 型锗管C、PNP 型硅管D、PNP 型锗管

考题 NPN型三极管工作在放大区时,电位最高的是集电极,电位最低的是()。

考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。 A.P区B.PN结C.N区D.PN极

考题 NPN型三极管相当于开关接通状态的条件是Vb≥VCVe。() 此题为判断题(对,错)。

考题 3DG型三极管的制作材料、类型是()。A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型

考题 工作在放大状态的三极管,测得三个管脚的电位分别为:1脚,-3.2V,2脚,-3V,3脚,-6V。由此可以判定三极管为()。A、NPN型硅管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、PNP型锗管

考题 NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子

考题 晶体三极管(NPN型)截止的条件是什么?

考题 晶体三极管截止的条件是(NPN型)()。A、Ub>UeB、Ub<UeC、Ib≥ICs/βD、Ib<ICs/β

考题 怎样判别三极管是PNP型还是NPN型?

考题 在NPN型晶体三极管电路中,测得Ue=0V,Ub=0.7V,Uc=5V,那么此三极管工作在()区。A、放大B、饱和C、截止D、集电

考题 在一NPN型晶体三极管电路中,测得Ue=8V,Ub=0.7V,Uc=12V,那么此三极管工作在()区。A、放大B、饱和C、截止D、集电

考题 三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极

考题 三极管的型号为3DG6,它是()三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅

考题 3AD18A、表示()A、NPN型锗材料高频小功率三极管;B、PNP型锗材料低频大功率三极管;C、NPN型硅材料低频小功率三极管;D、NPN型硅材料高频小功率三极管

考题 NPN型三极管组成的放大电路在工作时,已知VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,则三极管处于()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、击穿区

考题 NPN型三极管基本放大电路在线性放大区工作时,应当发射结正向偏置,集电结反向偏置。

考题 对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是()A、发射结反偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结正偏,集电结正偏

考题 为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结()偏置,集电结()偏置。 ②对于NPN型三极管,应使VBC()。

考题 当NPN型三极管的Vce0.2V时,将工作在()区。

考题 一只NPN型三极管,UE=8V、UB=0.7V、UC=12V,它一定工作在()。A、放大区B、饱和区C、截止区D、不确定

考题 若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。A、PNP型硅管B、PNP型锗管C、NPN型锗管D、NPN型硅管

考题 图示三极管为NPN型三极管。

考题 在实际工作中,NPN型三极管和PNP型三极管可直接替换。

考题 单选题一只NPN型三极管,UE=8V、UB=0.7V、UC=12V,它一定工作在()。A 放大区B 饱和区C 截止区D 不确定