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NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子

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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
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考题 在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对，错)。
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考题 NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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考题 三极管的发射区是发射载流子，（）区是输送和控制载流子，（）收集载子。
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考题 N型半导体中多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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考题 N型半导体中自由电子是多数载流子。
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考题 对NPN三极管来说，外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差。
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考题 对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；D、以上说法都错。
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考题 NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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考题 在N型半导体中，（）是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
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考题 N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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考题 P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、正离子
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考题 P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
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考题 P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
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考题 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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考题 N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
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考题 P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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考题 在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 判断题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A 对B 错
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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