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CMOS门电路是以MOS管为开关器件构成的逻辑电路,它同时使用了PMOS管和NMOS管,以提高电路性能。对吗?


参考答案和解析
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考题 MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对,错)。

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。() 此题为判断题(对,错)。

考题 由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。A.CMOS场效应管B.PMOS场效应管C.NMOS场效应管D.二簧继电器

考题 CMOS 非门电路采用什么类型的MOS管?

考题 用三极管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

考题 单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

考题 在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

考题 在MOS门电路中,欲使NMOS管导通可靠,栅极所加电压应小于开启电压UTN。()

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。

考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。

考题 集成门电路的输入、输出端的结构形式都采用了三极管,都称为晶体管—晶体管逻辑电路,也称()电路。A、TTLB、CMOSC、触发器D、继电器

考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 采用了()门电路后,其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低,速度更快。

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

考题 下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

考题 用场效应管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是(  )。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用

考题 填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、()型。

考题 单选题在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A 互补MOS与非门电路B CMOS与非门电路

考题 判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A 对B 错