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CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

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考题 MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
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考题 集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管
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考题 用三极管构成的门电路称为（）门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型
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考题 COMS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。     A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。
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考题 在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
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考题 由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。
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考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。
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考题 基本的R－S触发器是由两个（）。A、集成与门电路组合而成B、集成与或门电路组合而成C、集成与非门电路组合而成D、集成与或非门电路组合而成
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考题 TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
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考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是（）。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空，CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。
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考题 用场效应管构成的门电路称为（）门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型
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考题 下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、场效应管；B、晶闸管；C、晶体管；D、电阻、电容、电感。
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管
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考题 COMS门电路的内部电路是由场效应管构成。
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考题 TTL集成逻辑门电路的内部大多是由（）级、（）级和（）级
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考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。
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考题 单选题用场效应管构成的门电路称为（）门电路。A MOC型B TTL型C CMOS型
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考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是（　　）。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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考题 判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A 对B 错
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